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FZT949TA
Diodes(美台) 分立器件

三极管

三极管


得捷:
TRANS PNP 30V 5.5A SOT223-3


立创商城:
PNP 30V 5.5A


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP HighCt Low Sat


艾睿:
Use this versatile PNP FZT949TA GP BJT from Diodes Zetex to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
Transistor; PNP; 5.5A; SOT223


安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 5.5A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS PNP 30V 5.5A SOT-223


DeviceMart:
TRANS PNP -30V -5500MA SOT-223


FZT949TA中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -5.50 A

额定功率 3 W

极性 PNP

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 5.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V

最大电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

FZT949TA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FZT949TA Diodes 美台 三极管 搜索库存
替代型号FZT949TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FZT949TA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-223 PNP 30V 5.5A 3000mW

当前型号

三极管

当前型号

型号: ZX5T949GTA

品牌: 美台

封装: SOT-223 PNP 30V 5.5A 3000mW

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