IRFR5305PBF
数据手册.pdfINFINEON IRFR5305PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V
P 通道功率 MOSFET 40V 到 55V，
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5305PBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Allied Electronics:
MOSFET; Power; P-Ch; VDSS -55V; RDSON 0.065Ohm; ID -31A; D-Pak TO-252AA; PD 110W
安富利:
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin2+Tab DPAK
富昌:
单 P-沟道 55 V 0.065 Ohm 42 nC HEXFET® 功率 Mosfet - TO-252AA
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin2+Tab DPAK
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Newark:
# INFINEON IRFR5305PBF MOSFET Transistor, P Channel, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V
儒卓力:
**P-CH 55V 28A 65mOhm DPAK **
Win Source:
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK