MTD2N50E、MTD2N50ET4、MTD2N50E1对比区别

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型号 MTD2N50E MTD2N50ET4 MTD2N50E1

描述 TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6ΩDPAK N-CH 500V 2AN−Channel DPAK Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Motorola (摩托罗拉) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 - DPAK-252 CASE 369A-13

极性 - N-CH -

漏源极电压(Vds) - 500 V -

连续漏极电流(Ids) - 2A -

上升时间 - 6 ns -

输入电容(Ciss) - 323pF @25V(Vds) -

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1750 mW -

封装 - DPAK-252 CASE 369A-13

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free