MTD2N50ET4
ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
MTD2N50ET4中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 323pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK-252
外形尺寸
封装 DPAK-252
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
MTD2N50ET4引脚图与封装图
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在线购买MTD2N50ET4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTD2N50ET4 | ON Semiconductor 安森美 | DPAK N-CH 500V 2A | 搜索库存 |
替代型号MTD2N50ET4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTD2N50ET4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | DPAK N-CH 500V 2A | 当前型号 |
| 型号： MTD2N50E 品牌： 摩托罗拉 封装： | 功能相似 | TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDSon = 3.6Ω | MTD2N50ET4和MTD2N50E的区别 |