IRF7413TR、STS11NF30L、FDS6670A对比区别

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型号 IRF7413TR STS11NF30L FDS6670A

描述 N沟道,30V,13A,11mΩ@10VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6670A  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 13.0 A 11.0 A 13.0 A

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7413 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 11.0 A 13.0 A

上升时间 8.00 ns 39 ns 15 ns

耗散功率(Max) 2.5 W 2500 mW 2.5W (Ta)

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 0.0085 Ω 8 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

阈值电压 - 1 V 1.8 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V

栅源击穿电压 - ±18.0 V ±20.0 V

输入电容(Ciss) - 1440pF @25V(Vds) 2220pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 1 W

下降时间 - 16 ns 42 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 2.5 W -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.25 mm 1.5 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR