
额定电压DC 30.0 V
额定电流 13.0 A
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7413
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 8.00 ns
耗散功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
封装 SOIC
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF7413TR | International Rectifier 国际整流器 | N沟道,30V,13A,11mΩ@10V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7413TR 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC 30V 13A | 当前型号 | N沟道,30V,13A,11mΩ@10V | 当前型号 | |
型号: FDS6670A 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 13A 8mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6670A 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 V | IRF7413TR和FDS6670A的区别 | |
型号: STS11NF30L 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel 30V 11A 8.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF7413TR和STS11NF30L的区别 |