BC807-40LT1G、SBC807-40WT1G、BC807-40-7-F对比区别

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型号 BC807-40LT1G SBC807-40WT1G BC807-40-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC807-40LT1G  晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 100 MHz, 300 mW, -500 mA, 250 hFEPNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管DIODES INC.  BC807-40-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 310 mW, -500 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 300 mW 460 mW 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 250 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 460 mW 310 mW

直流电流增益(hFE) 250 - 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 460 mW 310 mW

额定功率 - - 0.31 W

增益频宽积 - 100 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 600 -

长度 2.9 mm 2.2 mm 3.05 mm

宽度 1.3 mm 1.35 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 0.9 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

军工级 - - Yes

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -