BC807-40LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Industrial, Power Management, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC807-40LT1G引脚图与封装图 
BC807-40LT1G引脚图
BC807-40LT1G封装焊盘图
在线购买BC807-40LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC807-40LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC807-40LT1G 晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 100 MHz, 300 mW, -500 mA, 250 hFE | 搜索库存 |
替代型号BC807-40LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC807-40LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BC807-40LT1G 晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 100 MHz, 300 mW, -500 mA, 250 hFE | 当前型号 |
| 型号： BC807-40LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC807-40LT3G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 40 hFE 新 | BC807-40LT1G和BC807-40LT3G的区别 |
| 型号： BC807-40LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -45V -500mA 300mW | 类似代替 | 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon | BC807-40LT1G和BC807-40LT1的区别 |
| 型号： BC80740MTF 品牌： 安森美 封装： SOT-23 310mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC80740MTF , PNP 晶体管, 800mA, Vce=50 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | BC807-40LT1G和BC80740MTF的区别 |