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MC33153D、MC33153DR2G、MC33153DR2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33153D MC33153DR2G MC33153DR2

描述 IGBT驱动器ON SEMICONDUCTOR  MC33153DR2G  IGBT GATE DRIVER, LOW SIDE, SOIC-8 新单IGBT栅极驱动器 Single IGBT Gate Driver

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 15.0 V, 20.0 V (max) 0.00V(min), 15.0V(max) 15.0 V, 20.0 V (max)

上升/下降时间 17 ns 17 ns 17 ns

无卤素状态 - Halogen Free -

输出接口数 1 1 1

针脚数 - 8 -

耗散功率 560 mW 560 mW -

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 11V ~ 20V 11.7V ~ 20V 11V ~ 20V

电源电压(Max) - 15 V -

电源电压(Min) - 0 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -