THS4215DR、THS4215DRB、THS4215D对比区别

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型号 THS4215DR THS4215DRB THS4215D

描述 低失真高速电压反馈放大器 LOW-DISTORTION HIGH-SPEED VOLTAGE FEEDBACK AMPLIFIER低失真高速电压反馈放大器 LOW-DISTORTION HIGH-SPEED VOLTAGE FEEDBACK AMPLIFIER低失真高速电压反馈放大器 LOW-DISTORTION HIGH-SPEED VOLTAGE FEEDBACK AMPLIFIER

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器

封装 SOIC-8 VSON SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 VSON SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

供电电流 19 mA - 19 mA

电路数 1 - 1

通道数 1 - 1

耗散功率 1020 mW - 1020 mW

共模抑制比 52 dB - 50 dB

输入补偿漂移 40.0 µV/K - 40.0 µV/K

带宽 350 MHz - 350 MHz

转换速率 970 V/μs - 970 V/μs

增益频宽积 300 MHz - 300 MHz

输入补偿电压 3 mV - 3 mV

输入偏置电流 7 µA - 7 µA

可用通道 S - S

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃

3dB带宽 325 MHz - 325 MHz

共模抑制比(Min) 50 dB - 50 dB

电源电压(Max) 15 V - -

电源电压(Min) 5 V - -

输出电流 - - 230mA @5V

增益带宽 - - 350 MHz

耗散功率(Max) - - 1020 mW

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃