THS4215DR
TI(德州仪器)
主动器件
THS4215DR中文资料参数规格
技术参数
供电电流 19 mA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 1020 mW
共模抑制比 52 dB
输入补偿漂移 40.0 µV/K
带宽 350 MHz
转换速率 970 V/μs
增益频宽积 300 MHz
输入补偿电压 3 mV
输入偏置电流 7 µA
可用通道 S
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
3dB带宽 325 MHz
共模抑制比Min 50 dB
电源电压Max 15 V
电源电压Min 5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
THS4215DR引脚图与封装图 
THS4215DR引脚图
THS4215DR封装图
THS4215DR封装焊盘图
在线购买THS4215DR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| THS4215DR | TI 德州仪器 | 低失真高速电压反馈放大器 LOW-DISTORTION HIGH-SPEED VOLTAGE FEEDBACK AMPLIFIER | 搜索库存 |
替代型号THS4215DR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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