锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CSD17382F4、CSD17484F4、CSD13381F4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17382F4 CSD17484F4 CSD13381F4

描述 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 1.0 x 0.6mm、67mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150CSD17484F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFET12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD13381F4

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 180 mΩ

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 0.5 W 0.5 W 500 mW

阈值电压 - - 850 mV

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 12 V

漏源击穿电压 - - 12 V

连续漏极电流(Ids) 2.3A - 2.1A

上升时间 111 ns 1 ns 1.5 ns

输入电容(Ciss) 347pF @15V(Vds) 150pF @15V(Vds) 200pF @6V(Vds)

额定功率(Max) - - 500 mW

下降时间 270 ns 4 ns 3.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500 mW 500mW (Ta)

长度 - - 1 mm

宽度 - - 0.64 mm

高度 - - 0.35 mm

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 EAR99 - -