CSD17382F4
TI(德州仪器)
分立器件
30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 1.0 x 0.6mm、67mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
这种 30V、54mΩ、N 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。
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- 低导通电阻
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- 低 Qg和 Qgd
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- 低阈值电压
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- 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
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- 1.0mm × 0.6mm
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- 超薄
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- 高度为 0.35mm
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- 集成型静电放电 ESD 保护二极管
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- 额定值 > 3kV 人体模型 HBM
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- 额定值 > 2kV 充电器件模型 CDM
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- 无铅且无卤素
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- 符合 RoHS 环保标准
## 应用范围
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- 针对负载开关应用进行了 优化
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- 针对通用开关应用进行了 优化
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- 单节电池 应用
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- 手持式和移动类 应用
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