MT29F1G08ABADAH4-IT:D、MT29F1G08ABADAWP-IT:D、MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR对比区别

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型号 MT29F1G08ABADAH4-IT:D MT29F1G08ABADAWP-IT:D MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR

描述 存储器1-Gbit(128M x 8bit)，并行接口，工作电压：2.7V to 3.6VSLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M X 8Bit 25ns 63Pin VFBGA T/R

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片存储芯片Flash芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 63 48 63

封装 VFBGA-63 TSOP-48 VFBGA-63

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

工作电压 3.30 V 3.30 V -

供电电流 35 mA 35 mA -

位数 8 8 -

内存容量 125000000 B 125000000 B -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

封装 VFBGA-63 TSOP-48 VFBGA-63

高度 - 1 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅 无铅