MT29F1G08ABADAH4-IT:D
数据手册.pdfMicron(镁光)
电子元器件分类
MT29F1G08ABADAH4-IT:D中文资料参数规格
技术参数
工作电压 3.30 V
供电电流 35 mA
位数 8
内存容量 125000000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 63
封装 VFBGA-63
外形尺寸
封装 VFBGA-63
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
MT29F1G08ABADAH4-IT:D引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MT29F1G08ABADAH4-IT:D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT29F1G08ABADAH4-IT:D | Micron 镁光 | 存储器 | 搜索库存 |
替代型号MT29F1G08ABADAH4-IT:D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT29F1G08ABADAH4-IT:D 品牌： Micron 镁光 封装： 63-VFBGA 125000000B | 当前型号 | 存储器 | 当前型号 |
| 型号： MT29F1G08ABADAH4-ITX:D 品牌： 镁光 封装： 63-VFBGA 125000000B | 完全替代 | SLC NAND Flash 3.3V 1G-bit 128M x 8 63Pin VFBGA | MT29F1G08ABADAH4-IT:D和MT29F1G08ABADAH4-ITX:D的区别 |
| 型号： MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR 品牌： 镁光 封装： 63-VFBGA | 完全替代 | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M X 8Bit 25ns 63Pin VFBGA T/R | MT29F1G08ABADAH4-IT:D和MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR的区别 |
| 型号： MT29F1G08ABADAWP-IT:D 品牌： 镁光 封装： 48-TFSOP 125000000B | 类似代替 | 1-Gbit128M x 8bit，并行接口，工作电压：2.7V to 3.6V | MT29F1G08ABADAH4-IT:D和MT29F1G08ABADAWP-IT:D的区别 |