工作电压 3.30 V
供电电流 35 mA
位数 8
内存容量 125000000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 TSOP-48
高度 1 mm
封装 TSOP-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MT29F1G08ABADAWP-IT:D | Micron 镁光 | 1-Gbit128M x 8bit,并行接口,工作电压:2.7V to 3.6V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MT29F1G08ABADAWP-IT:D 品牌: Micron 镁光 封装: 48-TFSOP 125000000B | 当前型号 | 1-Gbit128M x 8bit,并行接口,工作电压:2.7V to 3.6V | 当前型号 | |
型号: MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR 品牌: 镁光 封装: 48-TFSOP | 完全替代 | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8Bit 48Pin TSOP-I T/R | MT29F1G08ABADAWP-IT:D和MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR的区别 | |
型号: MT29F1G08ABADAWP-ITX:D 品牌: 镁光 封装: 48-TFSOP 125000000B | 完全替代 | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8Bit 48Pin TSOP-I | MT29F1G08ABADAWP-IT:D和MT29F1G08ABADAWP-ITX:D的区别 | |
型号: MT29F1G08ABADAH4-IT:D 品牌: 镁光 封装: 63-VFBGA 125000000B | 类似代替 | 存储器 | MT29F1G08ABADAWP-IT:D和MT29F1G08ABADAH4-IT:D的区别 |