SIR804DP-T1-GE3、SIR870ADP-T1-GE3对比区别

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型号 SIR804DP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3

描述 VISHAY  SIR804DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 VVISHAY  SIR870ADP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 1.5 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PowerPAK SO SO-8

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.0059 Ω 0.0055 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 104 W 104 W

阈值电压 1.2 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 2450pF @50V(Vds) 2866pF @50V(Vds)

下降时间 - 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 6250 mW 104 W

长度 - 6.25 mm

宽度 - 5.26 mm

高度 1.04 mm 1.12 mm

封装 PowerPAK SO SO-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free