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SIR870ADP-T1-GE3

SIR870ADP-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SIR870ADP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 1.5 V

The is a 100V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in primary side switching, telecom and DC/DC inverters applications. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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100% Rg Tested
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100% UIS Tested
SIR870ADP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0055 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 2866pF @50VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.25 mm

宽度 5.26 mm

高度 1.12 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, 工业, Industrial, 计算机和计算机周边, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIR870ADP-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SIR870ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SIR870ADP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 1.5 V 搜索库存
替代型号SIR870ADP-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SIR870ADP-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: PowerPAK N-Channel

当前型号

VISHAY  SIR870ADP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 1.5 V

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