SIR804DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0059 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 2450pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 6250 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK SO
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR804DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIR804DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR804DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIR804DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V | 搜索库存 |
替代型号SIR804DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIR804DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK N-Channel | 当前型号 | VISHAY SIR804DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V | 当前型号 |
| 型号： SIR870ADP-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel | 功能相似 | VISHAY SIR870ADP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 1.5 V | SIR804DP-T1-GE3和SIR870ADP-T1-GE3的区别 |