STF12NM60N、STFI13NM60N、STF13NM60N-H对比区别

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型号 STF12NM60N STFI13NM60N STF13NM60N-H

描述 N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET600V,11A,N沟道MOSFETTO-220FP N-CH 600V 11A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 25 W 25 W 25W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A - 11A

上升时间 9 ns 8 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 960pF @50V(Vds) 790pF @50V(Vds) 790pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 25 W - 25 W

下降时间 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 0.35 Ω - -

阈值电压 3 V - -

漏源击穿电压 600 V - -

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 9.3 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -