STFI13NM60N

ST Microelectronics(意法半导体) 分立器件

600V,11A,N沟道MOSFET

N-Channel 600V 11A Tc 25W Tc Through Hole I2PAKFP TO-281

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MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP

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STFI13NM60N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 790pF @50VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STFI13NM60N引脚图与封装图

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STFI13NM60N	ST Microelectronics 意法半导体	600V,11A,N沟道MOSFET	搜索库存

替代型号STFI13NM60N

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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