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STF12NM60N

STF12NM60N

数据手册.pdf

N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

通孔 N 通道 10A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP


贸泽:
MOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm 10A Pwr MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP


STF12NM60N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 960pF @50VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

STF12NM60N引脚图与封装图
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在线购买STF12NM60N
型号 制造商 描述 购买
STF12NM60N ST Microelectronics 意法半导体 N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET 搜索库存
替代型号STF12NM60N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STF12NM60N

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220-3 N-Channel 5A

当前型号

N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

当前型号

型号: STF13NM60N

品牌: 意法半导体

封装: TO-220FP N-Channel 5.5A

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STF12NM60N和STF13NM60N的区别

型号: STF13NM60N-H

品牌: 意法半导体

封装: TO-220FP N-CH 600V 11A

类似代替

TO-220FP N-CH 600V 11A

STF12NM60N和STF13NM60N-H的区别

型号: STFI13NM60N

品牌: 意法半导体

封装: I2PAKFP

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