STF12NM60N中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 960pF @50VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
STF12NM60N引脚图与封装图
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在线购买STF12NM60N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STF12NM60N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STF12NM60N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STF12NM60N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel 5A | 当前型号 | N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STF13NM60N 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 5.5A | 类似代替 | N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STF12NM60N和STF13NM60N的区别 |
| 型号： STF13NM60N-H 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-CH 600V 11A | 类似代替 | TO-220FP N-CH 600V 11A | STF12NM60N和STF13NM60N-H的区别 |
| 型号： STFI13NM60N 品牌： 意法半导体 封装： I2PAKFP | 功能相似 | 600V,11A,N沟道MOSFET | STF12NM60N和STFI13NM60N的区别 |