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DTB123EKT146、PDTA143ET,215、PDTA144ET,235对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTB123EKT146 PDTA143ET,215 PDTA144ET,235

描述 PNP 晶体管,ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.NXP  PDTA143ET,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, -100 mA, 30 hFETO-236AB PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 - 3 -

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP

耗散功率 0.2 W 250 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 500mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 39 @50mA, 5V 30 @10mA, 5V 80 @5mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 250 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 39 30 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 200 MHz 180 MHz -

耗散功率(Max) 200 mW 250 mW 250 mW

额定电压(DC) -50.0 V - -

额定电流 -500 mA - -

额定功率 0.2 W - -

高度 1.1 mm 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm - -

宽度 1.6 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -