极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PDTA144ET,235 | NXP 恩智浦 | TO-236AB PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PDTA144ET,235 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236 PNP 250mW | 当前型号 | TO-236AB PNP 50V 100mA | 当前型号 | |
型号: PDTA144ET,215 品牌: 恩智浦 封装: TO-236AB PNP 0.25W | 完全替代 | NXP PDTA144ET,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 80 hFE | PDTA144ET,235和PDTA144ET,215的区别 | |
型号: DTA124EKAT146 品牌: 罗姆半导体 封装: SC-59 PNP -50V -30mA 200mW | 功能相似 | ROHM DTA124EKAT146 单晶体管 双极, 数字式, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 56 hFE | PDTA144ET,235和DTA124EKAT146的区别 | |
型号: DTA143EKAT146 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-346 PNP -50V -100mA 0.2W | 功能相似 | PNP 晶体管,ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | PDTA144ET,235和DTA143EKAT146的区别 |