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PDTA144ET,235

PDTA144ET,235

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PDTA144ET,235中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTA144ET,235引脚图与封装图
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在线购买PDTA144ET,235
型号 制造商 描述 购买
PDTA144ET,235 NXP 恩智浦 TO-236AB PNP 50V 100mA 搜索库存
替代型号PDTA144ET,235
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTA144ET,235

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236 PNP 250mW

当前型号

TO-236AB PNP 50V 100mA

当前型号

型号: PDTA144ET,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB PNP 0.25W

完全替代

NXP  PDTA144ET,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 80 hFE

PDTA144ET,235和PDTA144ET,215的区别

型号: DTA124EKAT146

品牌: 罗姆半导体

封装: SC-59 PNP -50V -30mA 200mW

功能相似

ROHM  DTA124EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 56 hFE

PDTA144ET,235和DTA124EKAT146的区别

型号: DTA143EKAT146

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-346 PNP -50V -100mA 0.2W

功能相似

PNP 晶体管,ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.

PDTA144ET,235和DTA143EKAT146的区别