DTB123EKT146
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTB123EKT146中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -500 mA
额定功率 0.2 W
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 39 @50mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 39
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
DTB123EKT146引脚图与封装图
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在线购买DTB123EKT146
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTB123EKT146 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | PNP 晶体管，ROHM ### Digital Transistors, ROHM Resistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | 搜索库存 |
替代型号DTB123EKT146
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTB123EKT146 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 3SMT PNP -50V -500mA 0.2W | 当前型号 | PNP 晶体管，ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | 当前型号 |
| 型号： PDTA143ET@215 品牌： 恩智浦 封装： PNP | 类似代替 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin TO-236AB T/R | DTB123EKT146和PDTA143ET@215的区别 |
| 型号： DDTA113ZCA-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 50V 100mA 200mW | 功能相似 | PNP - 预偏压 100mA 50V | DTB123EKT146和DDTA113ZCA-7-F的区别 |
| 型号： PDTA143ET,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB PNP 250mW | 功能相似 | NXP PDTA143ET,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, -100 mA, 30 hFE | DTB123EKT146和PDTA143ET,215的区别 |