FDS6892A、SI9926CDY-T1-GE3、SI9926CDY-T1-E3对比区别

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型号 FDS6892A SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6892A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 900 mVVISHAY  SI9926CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 VVISHAY  SI9926CDY-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 NSOIC-8 SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 18 mΩ 0.015 Ω 0.018 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 2 W 3.1 W 3.1 W

阈值电压 900 mV 1.5 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 7.50 A 8.00 A 8.00 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 7.50 A - -

通道数 2 - -

输入电容 1.33 nF - 1200pF @10V

栅电荷 12.0 nC - -

漏源击穿电压 20 V - 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

上升时间 15 ns - 10.0 ns

输入电容(Ciss) 1333pF @10V(Vds) - 1200pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW - -

下降时间 9 ns - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W - 2000 mW

额定功率 - - 3.1 W

热阻 - - 32℃/W (RθJA)

封装 SOIC-8 NSOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 3.9 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 EAR99 - -