SI9926CDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.015 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 NSOIC-8
外形尺寸
封装 NSOIC-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI9926CDY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI9926CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V | 搜索库存 |
替代型号SI9926CDY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI9926CDY-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： NSOIC N-Channel 20V 8A | 当前型号 | VISHAY SI9926CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V | 当前型号 |
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