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SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI9926CDY-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 V

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter application.

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TrenchFET® power MOSFET
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100% UIS tested

贸泽:
MOSFET 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
SI9926CDY-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Module, 8 A, 20 V, 8-Pin SOIC


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
双 N沟道 20 V 0.018 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 3.1W; SO8


Newark:
# VISHAY  SI9926CDY-T1-E3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 V


SI9926CDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 3.1 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.018 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 1.5 V

输入电容 1200pF @10V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 10.0 ns

热阻 32℃/W RθJA

输入电容Ciss 1200pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI9926CDY-T1-E3引脚图与封装图
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SI9926CDY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI9926CDY-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 V 搜索库存
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型号: SI9926CDY-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOIC Dual N-Channel 8A

当前型号

VISHAY  SI9926CDY-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 V

当前型号

型号: FDS6892A

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOIC N-Channel 20V 7.5A 18mohms 1.33nF

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