IRF7201、IRF7201TRPBF、FDS9412A对比区别

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型号 IRF7201 IRF7201TRPBF FDS9412A

描述 SOIC N-CH 30V 7.3AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 8A ， 21mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhm

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 7.30 A 7.30 A -

额定功率 - 2.5 W -

通道数 - 1 1

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 30 mΩ 140 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Tc) 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 7.30 A 7.00 A 8.00 A

上升时间 35 ns 35 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds) 985pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 19 ns 19 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2.5W (Ta)

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

产品系列 IRF7201 - -

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99