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MMUN2232LT1、MMUN2232LT1G、FJN3301RTA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2232LT1 MMUN2232LT1G FJN3301RTA

描述 MMUN2232LT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 4.7k 增益15-30 SOT-23/SC-59 marking/标记 A8J ESD保护ON SEMICONDUCTOR  MMUN2232LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23双极晶体管 - 预偏置 NPN Si Transistor Epitaxial

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 400 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 15 @5mA, 10V 15 @5mA, 10V 20 @10mA, 5V

额定功率(Max) 246 mW 246 mW 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 400 mW 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 20

增益带宽 - - 250 MHz

长度 - 2.9 mm 5.2 mm

宽度 - 1.3 mm 4.19 mm

高度 - 0.94 mm 5.33 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Box

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99