FJN3301RTA
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJN3301RTA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 20 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 20
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJN3301RTA引脚图与封装图
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在线购买FJN3301RTA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJN3301RTA | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 预偏置 NPN Si Transistor Epitaxial | 搜索库存 |
替代型号FJN3301RTA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJN3301RTA 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 50V 100mA 300mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 NPN Si Transistor Epitaxial | 当前型号 |
| 型号： FJN3301RBU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 50V 100mA 300mW | 完全替代 | 双极晶体管 - 预偏置 50V/100mA/4.7K 4.7K | FJN3301RTA和FJN3301RBU的区别 |
| 型号： MMUN2232LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2232LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | FJN3301RTA和MMUN2232LT1G的区别 |
| 型号： MMUN2232LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA | 功能相似 | MMUN2232LT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 4.7k 增益15-30 SOT-23/SC-59 marking/标记 A8J ESD保护 | FJN3301RTA和MMUN2232LT1的区别 |