AFT20P140-4WNR3、MRF8S21200HR6、MRF8S19140HSR3对比区别
型号 AFT20P140-4WNR3 MRF8S21200HR6 MRF8S19140HSR3
描述 RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 130W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2025MHz, 28V, LDMOS, SOT1818射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HSSingle CDMA, W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990MHz, 34W Avg., 28V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 5 5 3
封装 OM-780-4 NI-1230 NI-780S
频率 1.88GHz ~ 1.91GHz 2.14 GHz 1.96 GHz
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
输出功率 24 W 48 W 34 W
增益 17.8 dB 18.1 dB 19.1 dB
测试电流 500 mA 1.4 A 1.1 A
工作温度(Max) 125 ℃ 225 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -65 ℃ -65 ℃
额定电压 65 V 65 V 65 V
额定电流 10 µA - -
电源电压 28 V - -
封装 OM-780-4 NI-1230 NI-780S
高度 - 5.08 mm -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99