STB85NF55LT4、STB85NF55T4、STP85NF55L对比区别
型号 STB85NF55LT4 STB85NF55T4 STP85NF55L
描述 N沟道55 V ， 0.0060 Ω ， 80 A ， TO- 220 ， D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 55 V, 0.0060 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK STripFET™ II Power MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道55V - 0.0060欧姆 - 80A D2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0060 ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -
额定电流 80.0 A 80.0 A -
通道数 1 1 -
漏源极电阻 8.00 mΩ 0.0062 Ω 0.006 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W
输入电容 3.70 nF - -
栅电荷 150 nC - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55.0 V 55 V 55.0 V
栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 40.0 A 80.0 A
输入电容(Ciss) 4050pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 4050pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W - 300 W
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
阈值电压 - 3 V 1.6 V
上升时间 - 100 ns 165 ns
下降时间 - 35 ns 55 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - - 3
宽度 9.35 mm 9.35 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm -
高度 - 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -