STP85NF55L中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.006 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
栅源击穿电压 ±15.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 165 ns
输入电容Ciss 4050pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STP85NF55L引脚图与封装图
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在线购买STP85NF55L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP85NF55L | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道55V - 0.0060欧姆 - 80A D2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0060 ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STP85NF55L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： STP85NF55 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 55V 80A 8mΩ | 类似代替 | STMICROELECTRONICS STP85NF55 场效应管, MOSFET | STP85NF55L和STP85NF55的区别 |
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