CSD19502Q5B、CSD19506KCS、CSD19502Q5BT对比区别

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型号 CSD19502Q5B CSD19506KCS CSD19502Q5BT

描述 N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19502Q5B80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19506KCSTEXAS INSTRUMENTS  CSD19502Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 3 8

封装 VSON-Clip-8 TO-220-3 VSON-Clip-8

针脚数 8 3 8

漏源极电阻 0.0034 Ω 0.002 Ω 0.0034 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.2 W 375 W 195 W

阈值电压 2.7 V 2.5 V 2.7 V

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 100A 150A -

上升时间 6 ns 11 ns 6 ns

输入电容(Ciss) 4870pF @40V(Vds) 9380pF @40V(Vds) 4870pF @40V(Vds)

下降时间 7 ns 10 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 375W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 80 V

长度 - 10.67 mm 6 mm

宽度 - 4.7 mm 5 mm

高度 - 16.51 mm 1 mm

封装 VSON-Clip-8 TO-220-3 VSON-Clip-8

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99