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CSD19502Q5BT

CSD19502Q5BT

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD19502Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新

N-Channel 80V 100A Ta 3.1W Ta, 195W Tc Surface Mount 8-VSON-CLIP 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON


欧时:
80V N-Ch NexFET MOSFET VSON-CLIP8


立创商城:
CSD19502Q5BT


德州仪器TI:
80-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.1 mOhm


贸泽:
MOSFET N-Channel, 3.4mOhm 80V


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  CSD19502Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 195W; VSON-CLIP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD19502Q5BT  MOSFET, N-CH, 80V, VSON-6


CSD19502Q5BT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0034 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 195 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 4870pF @40VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD19502Q5BT引脚图与封装图
CSD19502Q5BT引脚图

CSD19502Q5BT引脚图

CSD19502Q5BT封装图

CSD19502Q5BT封装图

CSD19502Q5BT封装焊盘图

CSD19502Q5BT封装焊盘图

在线购买CSD19502Q5BT
型号 制造商 描述 购买
CSD19502Q5BT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD19502Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新 搜索库存
替代型号CSD19502Q5BT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD19502Q5BT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON N-Channel 80V

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD19502Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新

当前型号

型号: CSD19502Q5B

品牌: 德州仪器

封装: VSON-Clip-8 N-Channel 80V 100A

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