FDD7N20TM、FQD4N20LTM、PHD9NQ20T,118对比区别
型号 FDD7N20TM FQD4N20LTM PHD9NQ20T,118
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN沟道 VDS=200V VGS=±30V ID=8.7A P=88W
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Nexperia (安世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
耗散功率 43 W 2.5W (Ta), 30W (Tc) 88W (Tc)
输入电容 - - 959 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
上升时间 30 ns - 19 ns
输入电容(Ciss) 185pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) 959pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 43 W - 88 W
下降时间 10 ns - 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 43 W 2.5W (Ta), 30W (Tc) 88W (Tc)
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.58 Ω 1.35 Ω -
阈值电压 5 V - -
额定电压(DC) - 200 V -
额定电流 - 3.20 A -
极性 - N-Channel -
漏源击穿电压 - 200 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 3.20 A -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - -
宽度 6.22 mm - -
高度 2.39 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
ECCN代码 - EAR99 -