FQD4N20LTM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD4N20LTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 3.20 A
漏源极电阻 1.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.20 A
输入电容Ciss 310pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD4N20LTM引脚图与封装图
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在线购买FQD4N20LTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD4N20LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD4N20LTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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