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FB30R06W1E3BOMA1、FP30R06W1E3、FP30R06W1E3BOMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FB30R06W1E3BOMA1 FP30R06W1E3 FP30R06W1E3BOMA1

描述 EasyPIM™ 1B 600V PIM IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and NTC.INFINEON  FP30R06W1E3  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 30 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 37 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管

基础参数对比

封装 AG-EASY1B-1 EASY1B-1 AG-EASY1B-1

安装方式 - Screw -

引脚数 - 23 20

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 600 V

输入电容(Cies) 1.65nF @25V - 1.65nF @25V

额定功率(Max) 115 W - 115 W

针脚数 - 23 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 115 W 115 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 115000 mW 115000 mW

封装 AG-EASY1B-1 EASY1B-1 AG-EASY1B-1

长度 - 62.8 mm -

宽度 - 33.8 mm -

高度 - 12 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99