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FB30R06W1E3BOMA1

FB30R06W1E3BOMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

EasyPIM™ 1B 600V PIM IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and NTC.

Summary of Features:

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Low Switching Losses
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Trench IGBT 3
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VCEsat with positive Temperature Coefficient
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Low VCEsat
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Al2O3 Substrate with Low Thermal Restistance
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Compact Design
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Solder Contact Technology
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Rugged mounting due to integrated mounting clamps

Benefits:

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Compact module concept
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Optimized customer’s development cycle time and cost
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Configuration flexibility
FB30R06W1E3BOMA1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 1.65nF @25V

额定功率Max 115 W

封装参数

封装 AG-EASY1B-1

外形尺寸

封装 AG-EASY1B-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Air Conditioning System

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FB30R06W1E3BOMA1引脚图与封装图
FB30R06W1E3BOMA1电路图

FB30R06W1E3BOMA1电路图

在线购买FB30R06W1E3BOMA1
型号 制造商 描述 购买
FB30R06W1E3BOMA1 Infineon 英飞凌 EasyPIM™ 1B 600V PIM IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and NTC. 搜索库存
替代型号FB30R06W1E3BOMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FB30R06W1E3BOMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

EasyPIM™ 1B 600V PIM IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and NTC.

当前型号

型号: FP30R06W1E3BOMA1

品牌: 英飞凌

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完全替代

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 37 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module

FB30R06W1E3BOMA1和FP30R06W1E3BOMA1的区别