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BC807-40LT1G、BCX71KE6327HTSA1、BC807-40-7-F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC807-40LT1G BCX71KE6327HTSA1 BC807-40-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC807-40LT1G  晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 100 MHz, 300 mW, -500 mA, 250 hFEBCX71 系列 PNP 45 V 100 mA 表面贴装 硅 AF 晶体管 - SOT-23-3DIODES INC.  BC807-40-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 310 mW, -500 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 250 MHz 100 MHz

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 300 mW 330 mW 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.1A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 380 @2mA, 5V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 330 mW 310 mW

直流电流增益(hFE) 250 - 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 330 mW 310 mW

额定电压(DC) - -45.0 V -

额定电流 - -100 mA -

最大电流放大倍数(hFE) - 630 -

额定功率 - - 0.31 W

长度 2.9 mm - 3.05 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 0.94 mm - 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

军工级 - - Yes

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99