2N5336、JAN2N5152、2N5152对比区别

高亮显示差异参数

型号 2N5336 JAN2N5152 2N5152

描述 Trans GP BJT NPN 80V 5A 3Pin TO-39NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-39 TO-205 TO-39-3

耗散功率 - - 1 W

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - 65 ℃

耗散功率(Max) 6000 mW - 1000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @2.5A, 5V -

额定功率(Max) - 1 W -

封装 TO-39 TO-205 TO-39-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Bag Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free