2N5336
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N5336中文资料参数规格
技术参数
耗散功率Max 6000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
2N5336引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5336
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5336 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3Pin TO-39 | 当前型号 |
| 型号： 2N5334 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | Small Signal Bipolar Transistor, 3A IC, 60V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39 | 2N5336和2N5334的区别 |
| 型号： 2N5337 品牌： 美高森美 封装： 3TO-39 | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 80V 5A 3Pin TO-39 | 2N5336和2N5337的区别 |
| 型号： 2N5338 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 完全替代 | Small Signal Bipolar Transistor, 5A IC, 100V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, | 2N5336和2N5338的区别 |
