IRF6802SDTR1PBF、IRF6802SDTRPBF对比区别

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型号 IRF6802SDTR1PBF IRF6802SDTRPBF

描述 Direct-FET N-CH 25V 16AP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 Micro-8 Direct-FET

通道数 2 -

漏源极电阻 3.2 mΩ -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 1.7 W 1.7 W

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

漏源击穿电压 25 V -

连续漏极电流(Ids) 16A 16A

上升时间 50 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 1350pF @13V(Vds) 1350pF @13V(Vds)

额定功率(Max) 1.7 W 1.7 W

下降时间 23 ns 23 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1700 mW 1700 mW

长度 3 mm 4.85 mm

宽度 3 mm 3.95 mm

高度 1.11 mm 0.7 mm

封装 Micro-8 Direct-FET

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free