IRF6802SDTR1PBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6802SDTR1PBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 3.2 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1.7 W
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1350pF @13VVds
额定功率Max 1.7 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1700 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Micro-8
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 1.11 mm
封装 Micro-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF6802SDTR1PBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6802SDTR1PBF | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 25V 16A | 搜索库存 |
替代型号IRF6802SDTR1PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6802SDTR1PBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DirectFET N-CH 25V 16A | 当前型号 | Direct-FET N-CH 25V 16A | 当前型号 |
| 型号： IRF6802SDTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 25V 16A | 完全替代 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | IRF6802SDTR1PBF和IRF6802SDTRPBF的区别 |
