IRF6802SDTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 1.7 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1350pF @13VVds
额定功率Max 1.7 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1700 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Direct-FET
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
高度 0.7 mm
封装 Direct-FET
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Battery Protection
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF6802SDTRPBF | Infineon 英飞凌 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF6802SDTRPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-CH 25V 16A | 当前型号 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 当前型号 | |
型号: IRF6802SDTR1PBF 品牌: 英飞凌 封装: DirectFET N-CH 25V 16A | 完全替代 | Direct-FET N-CH 25V 16A | IRF6802SDTRPBF和IRF6802SDTR1PBF的区别 |