IRLR3636PBF、IRLR3636TRPBF、IRLR2905TRPBF对比区别

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型号 IRLR3636PBF IRLR3636TRPBF IRLR2905TRPBF

描述 INFINEON  IRLR3636PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.8 mohm, 10 V, 2.5 VINFINEON  IRLR3636TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2.5 V 新INFINEON  IRLR2905TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 143 W 143 W 69 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0068 Ω 0.0054 Ω 0.027 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 143 W 143 W 110 W

阈值电压 2.5 V 2.5 V 2 V

输入电容 - 3779 pF 1700 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 - 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 99A 99A 42A

上升时间 216 ns 216 ns 84 ns

输入电容(Ciss) 3779pF @50V(Vds) 3779pF @50V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 143 W 110 W

下降时间 96 ns 69 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 143W (Tc) 143W (Tc) 110W (Tc)

反向恢复时间 27 ns - -

正向电压(Max) 1.3 V - -

工作结温 -55℃ ~ 175℃ - -

通道数 - 1 -

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99