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IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF

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Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  IRLR2905TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRLR2905TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 69 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 2 V

输入电容 1700 pF

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 42A

上升时间 84 ns

输入电容Ciss 1700pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRLR2905TRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRLR2905TRPBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRLR2905TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号IRLR2905TRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRLR2905TRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 42A

当前型号

INFINEON  IRLR2905TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: IRLR2905TRLPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 42A

完全替代

晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V

IRLR2905TRPBF和IRLR2905TRLPBF的区别

型号: IRLR2905PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 42A

类似代替

INFINEON  IRLR2905PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 27 mohm, 10 V, 2 V

IRLR2905TRPBF和IRLR2905PBF的区别

型号: IRLR2905ZPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 60A

类似代替

INFINEON  IRLR2905ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 V

IRLR2905TRPBF和IRLR2905ZPBF的区别