TLV2252IDR、TLV2252QDR、TLV2252IDRG4对比区别

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型号 TLV2252IDR TLV2252QDR TLV2252IDRG4

描述 高级LinCMOSE轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 70 µA 70 µA 70 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - -

耗散功率 725 mW - 0.725 W

共模抑制比 70 dB - 70 dB

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K

带宽 187 kHz 187 kHz 187 kHz

转换速率 120 mV/μs 120 mV/μs 120 mV/μs

增益频宽积 200 kHz 200 kHz 0.2 MHz

输入补偿电压 200 µV 200 µV 1.5 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 0.06 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.2 MHz - -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压 2.7V ~ 8V - -

电源电压(Max) 8 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free