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TLV2252IDRG4

TLV2252IDRG4

TI(德州仪器) 主动器件

高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS

通用 放大器 2 电路 满摆幅 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLV2252IDRG4


贸泽:
运算放大器 - 运放 Dual Rail-To-Rail Lo-Vltg Lo-Power


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OP Amp Dual GP R-R O/P ±4V/8V 8-Pin SOIC T/R


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OP Amp Dual GP R-R O/P ±4V/8V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
OP Amp Dual GP R-R O/P ±4V/8V 8-Pin SOIC T/R


Win Source:
Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS


德州仪器TI:
Dual Rail-To-Rail Low-Voltage Low Power Operational Amplifier


TLV2252IDRG4中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤50 mA

供电电流 70 µA

电路数 2

通道数 2

耗散功率 0.725 W

共模抑制比 70 dB

输入补偿漂移 500 nV/K

带宽 187 kHz

转换速率 120 mV/μs

增益频宽积 0.2 MHz

输入补偿电压 1.5 mV

输入偏置电流 0.06 nA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 70 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TLV2252IDRG4引脚图与封装图
TLV2252IDRG4引脚图

TLV2252IDRG4引脚图

TLV2252IDRG4封装图

TLV2252IDRG4封装图

TLV2252IDRG4封装焊盘图

TLV2252IDRG4封装焊盘图

在线购买TLV2252IDRG4
型号 制造商 描述 购买
TLV2252IDRG4 TI 德州仪器 高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS 搜索库存
替代型号TLV2252IDRG4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLV2252IDRG4

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 200kHz 2Channel 8Pin

当前型号

高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS

当前型号

型号: TLV2252ID

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 200kHz 2Channel 8Pin

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TLV2252IDRG4和TLV2252ID的区别

型号: TLV2252IDR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 200kHz 2Channel 8Pin

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封装: SOIC 100kHz 2Channel 8Pin

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